Напівпровідникові пристрої - Транзистори - Довідник - Горюнов Н.Н. Миколаївський І

Передмова
Умовні позначення

Частина перша. Транзистори

Розділ I. Загальні відомості

2. Схеми включення, області та режими роботи транзистора
3. Вольтамперні характеристики р-n переходу (діода)
4. Характеристики транзистора у схемі із загальною базою
5. Характеристики транзистора у схемі із загальним емітером
6. Параметри області відсічення
6.1 Зворотні струми * та *
6.2. Наскрізний струм * та початковий струм *
6.3. Максимальна напруга
7. Параметри активної області
7.1. Параметри малого сигналу
7.2. Параметри великого сигналу
7.3. Шуми
7.4. Максимальна напруга
7.5. Максимальні струми
7.6 Час увімкнення та вимкнення
8. Параметри області насичення
8.1. Час затримки
8.2. Опір та напруга насичення
8.3. Максимальний струм
9. Теплові параметри
9.1. Максимальна температура переходу
9.2. Тепловий опір
9.3. Теплоємність та теплові постійні часу
10. Максимальна потужність, що розсіюється транзистором
11. Гранично допустимі експлуатаційні дані
12. Особливості застосування
12.1. Температурна стабілізація
12.2. Відведення тепла

Розділ ІІ. Довідкові дані
Транзистори германієві сплавні типу р-n-р, низькочастотні потужні: П4А, П4Б, П4В, П4Г, П4Д (загальні дані)
Транзистори германієві сплавні типу р-n-р низькочастотні: П5А, П5Б, П5В, П5Г, П5Д, П5Е (загальні дані)
Транзистори германієві сплавні типу р-n-р низькочастотні: П6А, П6Б, П6В, П6Г, П6Д (загальні дані)
Транзистори германієві сплавні типу низькочастотні: П8, П9А, П10, П10А, П10Б, П11. П11А (загальні дані)
Транзистори германієві сплавні типу р-n-р низькочастотні: П13, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А (загальні дані)
Транзистори германієві сплавні типу р-n-р імпульсні: П16, П16Л, П16Б (загальні дані)
Транзистори германієві сплавні типу р-n-р імпульсні: П20, П21, П21А (загальні дані)
Транзистори германієві сплавні типу р-n-р низькочастотні: П25, П25А, П25Б, П26, П26А, П26Б (загальні дані)
Транзистори сплавні германієві типу р-n-р низькочастотні: П27, П27А, П28 (загальні дані)
Транзистори сплавні германієві типу р-n-р низькочастотні: П29, П29А, П30 (загальні дані)
Транзистори кремнієві сплавні типу n-р-n низькочастотні: П101, П101А, П101Б, П102, П103 (загальні дані)
Транзистори кремнієві сплавні типу р-n-р низькочастотні: П104 П105 П106 (загальні дані)
Транзистори германієві сплавні типу р-n-р потужні: П201, П201А, П202, П203 (загальні дані)
Транзистори сплавні германієві типу р-n-р потужні: П209, П209А, П210, П210А (загальні дані)
Транзистори сплавні германієві типу р-n-р низькочастотні: П211, П212, П212А (загальні дані)
Транзистори кремнієві, сплавні типу р-n-р низькочастотні потужні: П302, П303, П303А, П304 (загальні дані)
Транзистори германієві дифузійні типу р-n-р високочастотні: П401, П402, П403, П403А (загальні дані)
Транзистори германієві сплавні типу р-n-р високочастотні: П12, П12А, П406, П407 (загальні дані)
Транзистори германієві дифузійні типу р-n-р високочастотні: П410, П410А, П411, П411А (загальні дані)
Транзистори германієві дифузійні типу р-n-р високочастотні: П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б
Транзистори германієві дифузійні типу р-n-р високочастотні: П416, П416А, П416Б (загальні дані)
Транзистори кремнієві дифузійні типу р-n-р високочастотні: П501, П501А, П502, П502А, П502Б, П501В, П503, П503А (загальні дані)
Транзистори германієві конверсійні типу р-n-р високочастотні з потужними: П601, П601А, П601Б, П602, П602А (загальні дані)
Транзистори германієві конверсійні типу р-n-р імпульсні потужні: П605, П605А, П606, П606А (загальні дані)

Частина друга. Напівпровідникові діоди

Розділ I. Загальні відомості
1. Принципи маркування та класифікації
2. Вольтамперні характеристики
3. Послідовне включення
4. Паралельне включення
5. Особливості експлуатації

Розділ ІІ. Довідкові дані
Діоди германієві точкові Д1А, Д1Б, Д1В, ​​Л1Г, Д1Д, Д1Е, Д1Ж (загальні дані)
Діоди германієві точкові Д2А, Д2Б, Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2І (загальні дані)
Діоди германієві сплавні випрямні Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д, Д7Е, Д7Ж (загальні дані)
Діоди германієві точкові Д9А, Д9Б, Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9Е, Д9Ж, Д9І, Д9К, Д9Л (загальні дані)
Діоди германієві точкові Д10, Д10А, Д10Б (загальні дані)
Діоди германієві точкові Д11, Д12, Д12А, Д13, Д14, Д14А (загальні дані)
Діоди германієві точкові Д18 (загальні дані)
Діоди кремнієві точкові Д101, Д101А, Д102, Д103, Д103А (загальні дані)
Діоди кремнієві точкові Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А (загальні дані)
Діоди кремнієві точкові Д107, Д107А, Д108, Д109 (загальні дані)
Діоди кремнієві сплавні випрямні Д202, Д203, Д204, Д205 (загальні дані)
Діоди кремнієві сплавні Д206, Д207, Д208, Д209, Д210, Д211 (загальні дані)
Діоди кремнієві сплавні Д214, Д214А, Д215, Д215А (загальні дані)
Діоди кремнієві сплавні Д219А, Д220, Д220А, Д220Б (загальні дані)
Діоди кремнієві сплавні Д221, Д222 (загальні дані)
Діоди кремнієві Д223, Д223А, Д223Б (загальні дані)
Діоди кремнієві сплавні Д231, Д232, Д233, Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б, Д231А, Д232А (загальні дані)
Діоди германієві сплавні Д302, Д303, Д304, Д305 (загальні дані)
Стабілітрони кремнієві сплавні Д808, Д809, Д810, Д811, Д813 (загальні дані)
Діоди германієві сплавні ДГ-Ц21, ДГ-Ц22, ДГ-Ц23, ДГ-Ц24, ДГ-Ц25, ДГ-Ц26, ДГ-Ц27 (загальні дані)

  • Горюнов Н.Н. Довідник за напівпровідниковими діодами, транзисторами та інтегральними схемами.[Djv-14.5M] Довідник Видання 4-те, перероблене та доповнене. Автори: Микола Миколайович Горюнов, Аркадій Юрійович Клейман, Микола Микитович Комков, Яніна Олексіївна Толкачова, Микола Федорович Терьохін. За загальною редакцією Н.М. Горюнова. Палітурка художника А.А. Іванова.
    (Москва: Видавництво «Енергія», 1977)
    Скан, обробка, формат Djv: PGP-vimpel.63, 2018
    • КОРОТКИЙ ЗМІСТ:
      Передмова (13).
      ЧАСТИНА ПЕРША. КЛАСИФІКАЦІЯ ТА СИСТЕМА ОЗНАЧЕНЬ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ І ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ
      Розділ перший. Класифікація та система позначень напівпровідникових приладів (14).
      Розділ другий. Класифікація та система позначень інтегральних мікросхем (23).
      ЧАСТИНА ДРУГА. ДОВІДКОВІ ДАНІ НАПІВПРОВІДНИКИ ДІОДІВ
      Розділ третій. Діоди, стовпи та блоки випрямляючі (35).
      Розділ четвертий. Діоди високочастотні (71).
      Розділ п'ятий. Діоди імпульсні (86).
      Розділ шостий. Діодні матриці та складання (115).
      Розділ сьомий. Стабілітрони (139).
      Розділ восьмий. Варикапи (172).
      Розділ дев'ятий. Діоди тунельні та звернені (187).
      Розділ десятий. Світлодіоди (201).
      Розділ одинадцятий. Тиристори (215).
      Розділ дванадцятий. Діоди НВЧ (228).
      ЧАСТИНА ТРЕТЯ. ДОВІДКОВІ ДАНІ ТРАНЗИСТОРІВ
      Розділ тринадцятий. Транзистори малої потужності низькочастотні (236).
      Розділ чотирнадцятий. Транзистори малої потужності середньочастотні (256).
      Розділ п'ятнадцятий. Транзистори малої потужності високочастотні (260).
      Розділ шістнадцятий. Транзистори малої потужності надвисокочастотні (304).
      Розділ сімнадцятий. Транзистори середньої потужності низькочастотні та середньочастотні (327).
      Розділ вісімнадцятий. Транзистори середньої потужності високочастотні та надвисокочастотні (338).
      Розділ дев'ятнадцятий. Транзистори великої низькочастотної потужності (363).
      Розділ двадцятий. Транзистори великої середньочастотної потужності (374).
      Розділ двадцять перший. Транзистори великої потужності високочастотні та надвисокочастотні (387).
      Розділ двадцять другий. Транзистори польові (401).
      ЧАСТИНА ЧЕТВЕРТА. ДОВІДКОВІ ДАНІ ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ
      Розділ двадцять третій. Напівпровідникові логічні мікросхеми (424).
      Розділ двадцять четвертий. Напівпровідникові лінійно-імпульсні мікросхеми (581).
      Розділ двадцять п'ятий. Гібридні логічні мікросхеми (624).
      Розділ двадцять шостий. Гібридні лінійно-імпульсні мікросхеми (682).
      Додаток (736).
      Алфавітно-цифровий покажчик приладів, поміщених у довіднику (742).

Анотація видавництва:У довіднику наводяться електричні параметри, граничні експлуатаційні дані та інші характеристики вітчизняних напівпровідникових діодів, що серійно випускаються, транзисторів, тиристорів та інтегральних схем широкого застосування.
Довідник призначений для широкого кола фахівців з радіотехніки та електроніки, які займаються розробкою радіоелектронної апаратури на напівпровідникових приладах.

Назва: Напівпровідникові пристрої - Транзистори - Довідник.

Наведено електричні параметри, габаритні розміри, граничні експлуатаційні дані та інші характеристики вітчизняних транзисторів широкого застосування, що серійно випускаються. Для широкого кола фахівців з електроніки, автоматики, радіотехніки, вимірювальної техніки, що займаються розробкою, експлуатацією та ремонтом радіоелектронної апаратури.


Передмова. 11
ЧАСТИНА ПЕРША. ЗАГАЛЬНІ ВІДОМОСТІ ПРО БІПОЛЯРНІ ТА ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ
Розділ перший. Класифікація біполярних та польових транзисторів. 12
1.1. Класифікація та система позначень. 12
1.2. Класифікація транзисторів за функціональним призначенням. 16
1.3. Умовні графічні позначення. 16
1.4. Умовні позначення електричних властивостей. 17
1.5. Основні стандарти па біполярні та польові транзистори. 23
Розділ другий. Особливості використання транзисторів у радіоелектронній апаратурі. 26
ЧАСТИНА ДРУГА. ДОВІДКОВІ ДАНІ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ
Розділ третій. Транзистори малопотужні низькочастотні. 36
Розділ четвертий. Транзистори малопотужні високочастотні. 166
Розділ п'ятий. Транзистори малопотужні надвисокочастотні. 307
Розділ шостий. Транзистори потужні низькочастотні. 453
Розділ сьомий. Транзистори потужні високочастотні. 569
Розділ восьмий. Транзистори потужні надвисокочастотні. 671
Розділ дев'ятий. Транзисторні збирання. 770
ЧАСТИНА ТРЕТЯ. Довідкові дані польових транзисторів
Розділ десятий. Транзистори малопотужні. 812
Розділ одинадцятий. Транзистори потужні. 870
Розділ дванадцятий. Транзистори здвоєні. 891
Алфавітно-цифровий покажчик транзисторів, розміщених у довіднику.

ОСОБЛИВОСТІ ВИКОРИСТАННЯ ТРАНЗИСТОРІВ У РАДІОЕЛЕКТРОННІЙ АПАРАТУРІ.

Всі переваги напівпровідникових приладів, що дозволяють створювати надзвичайно економічну, малогабаритну та надійну апаратуру, можуть бути зведені до мінімуму, якщо при розробці, виготовленні та експлуатації її не будуть прийняті до уваги їхні специфічні особливості.

Висока надійність радіоелектронної апаратури може бути забезпечена лише при врахуванні таких факторів, як розкид параметрів транзисторів, температурна нестабільність та залежність їх параметрів від режиму роботи, а також зміна параметрів транзисторів у процесі експлуатації радіоелектронної апаратури.

Транзистори, наведені в довіднику, є транзисторами загального застосування. Вони зберігають свої параметри у встановлених межах в умовах експлуатації та зберігання, характерних для різних видів та класів апаратури.

Безкоштовно завантажити електронну книгу у зручному форматі, дивитися та читати:
Напівпровідникові прилади - Транзистори - Довідник - Горюнов Н.М. - fileskachat.com, швидке та безкоштовне скачування.

Сподобалася стаття? Поділитися з друзями: